氮化(huà)镓

搭載高(gāo)效能(néng)GaN芯片,使充電(diàn)器(qì)體(tǐ)積更小(xiǎo)、€重量更輕、發熱(rè)更低(dī)、效率更高(gāo)。

20W氮化(huà)镓充電(diàn)器(qì)ASGaN29

科(kē)技(jì)領先,更快(kuài)更安全的(de)充電(diàn)科(kē)技(jì),尺寸小(xiǎo)、重量輕、效率高(gāo);輕松滿足移動智能(néng→)設備的(de)充電(diàn)需求;支持PD、QC、BC1.2、Apple、三星協議(yì)、FCP、 SCP、AFC等多(duō)種充電(diàn)協議(yì)。

1.最大(dà)輸出功率20W
2.PD閃充, 充電(diàn)速度快(kuài)

3.GaNFast氮化(huà)镓PD認證,安全放(fàng)心

4.全球多(duō)重安規認證

5.迷你(nǐ)便攜,通(tōng)用(yòng)兼容 

産品詳情
    技(jì)術(shù)參數(shù)
  • 輸出功率:PD20W

  • USB C輸出:5V 3A/9V 2.22A/12V 1.67A

  • 額定輸入電(diàn)壓:100-240Vac

  • 輸入電(diàn)壓範圍:90-264Vac

  • 輸入頻(pín)率:50/60Hz

  • 輸入電(diàn)流:0.7A(rms)max@90Vac 

  • 浪湧電(diàn)流:30A max@240 Vac

  • 空(kōng)載功耗:0.1W max

  • 能(néng)效等級:VI

  • 安全标準:IEC/UL/EN62368(GB4943)

  • 電(diàn)磁兼容标準:EN55032,EN55035,EN61000(GB9254,GB17625,GB13837)

  • Part 15 Subpart B

  • CISPR 32,CISPR24



    工(gōng)作(zuò)環境
  • 工(gōng)作(zuò)溫度:-10℃~25℃

  • 存儲溫度:-20℃~70℃

  • 濕度:5%~95%RH

上(shàng)一(yī)個(gè):沒有(yǒu)了(le) 下(xià)一(yī)個(gè):30W氮化(huà)镓充電(diàn)器(qì)ASGaN7